Glossary entry (derived from question below)
English term or phrase:
gate drive
German translation:
Gatteransteuerung / Gattertreiber
Added to glossary by
Marcus Geibel
Apr 24, 2008 20:35
16 yrs ago
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English term
Germany
gate drive
English to German
Tech/Engineering
Electronics / Elect Eng
power supply systems
Kontext:
"...is a block diagram of an embodiment of the multi-converter system controller controlling an AC/DC converter ***gate drive*** and a DC/DC converter module."
"Power flow and/or voltage regulation through the bridge 202 is controlled by ***gate drive*** 208. ***Gate drive*** 208 provides gating control signals to
the transistors forming the bridge 202, via connection 210, in response to control signals from the multi-converter system controller 106.
The DC/DC power converter 110 employs a bridge 212 which converts the relatively higher operating DC voltage of the HVDC bus 112 into the relatively lower operating DC voltage of the LVDC bus 130. Bridge 212 may also be comprised of any one of many known types of bi-directional transistor-based converter systems using well-known topologies. Examples of such transistor devices include, but are not limited to, field effect transistors (FETs), metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs), or insulated gate bipolar transistors (IGBTs) and associated anti-parallel diodes"
Aus hier ist wieder eine möglichst deutsche Lösung gefragt!
Danke!
"...is a block diagram of an embodiment of the multi-converter system controller controlling an AC/DC converter ***gate drive*** and a DC/DC converter module."
"Power flow and/or voltage regulation through the bridge 202 is controlled by ***gate drive*** 208. ***Gate drive*** 208 provides gating control signals to
the transistors forming the bridge 202, via connection 210, in response to control signals from the multi-converter system controller 106.
The DC/DC power converter 110 employs a bridge 212 which converts the relatively higher operating DC voltage of the HVDC bus 112 into the relatively lower operating DC voltage of the LVDC bus 130. Bridge 212 may also be comprised of any one of many known types of bi-directional transistor-based converter systems using well-known topologies. Examples of such transistor devices include, but are not limited to, field effect transistors (FETs), metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs), or insulated gate bipolar transistors (IGBTs) and associated anti-parallel diodes"
Aus hier ist wieder eine möglichst deutsche Lösung gefragt!
Danke!
Proposed translations
(German)
| 3 | Gatteransteuerung / Gattertreiber |
Ruth Wiedekind
|
| 4 | Gate-Treiber |
Johannes Gleim
|
Proposed translations
11 hrs
Ruth Wiedekind
Germany
Germany
Native in German
Works in field
Germany
8 years of automotive purchasing
Native in: German (Variant: Germany)
Works in: Spanish to German, French to German, English to German
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21
Selected
Gatteransteuerung / Gattertreiber
Es gibt deutsche Begriffe, in der Industrie ist Johannes "Gate-Treiber" aber am häufigsten vertreten.
Integrierte Steuerschaltung mit stabiler Bootstrap ...-
... wobei die High-Side-Gatteransteuerung (111) als Eingang ein Signal aus einem ... eine Low-Side-Gatteransteuerung (113) zur selektiven Steuerung des ...
www.patent-de.com/20060817/EP1408612.html
FUNKSYSTEM UND -VERFAHREN MIT FET-MISCHER UND ...Umwandlungsverluste, Rauschzahl und Intermodulationsunterdrückung werden durch die Verwendung einer Rechteckwellen-Gatteransteuerung sogar weiter verbessert ...
www.patent-de.com/20060524/DE69926182T2.html
Bi-direktionale Stromerkennung durch Überwachen der VS Spannung in ...Gattertreiber für eine mit einer Brückenschaltung geschaltete Ausgangsschaltung eines Transistors mit einem high-side und einem low-side Schalttransistor, ...
www.patent-de.com/20070503/DE112005001308T5.html
--------------------------------------------------
Note added at 11 hrs (2008-04-25 08:20:05 GMT)
--------------------------------------------------
Zu einem anderen FET (JFET von Siemens):
http://www.wipo.int/pctdb/en/wo.jsp?IA=WO2004070849&DISPLAY=... (zweisprachige Zusammenfassung)
(WO/2004/070849) DEPLETION LAYER FIELD EFFECT TRANSISTORBei angelegter positiver Spannung an der Senke D und negativer Spannung am Gatter G, sowie geerdeter Quelle S, bildet sich um den zylinderförmigen ...
www.wipo.int/pctdb/en/wo.jsp?IA=WO2004070849&DISPLAY=DESC
Integrierte Steuerschaltung mit stabiler Bootstrap ...-
... wobei die High-Side-Gatteransteuerung (111) als Eingang ein Signal aus einem ... eine Low-Side-Gatteransteuerung (113) zur selektiven Steuerung des ...
www.patent-de.com/20060817/EP1408612.html
FUNKSYSTEM UND -VERFAHREN MIT FET-MISCHER UND ...Umwandlungsverluste, Rauschzahl und Intermodulationsunterdrückung werden durch die Verwendung einer Rechteckwellen-Gatteransteuerung sogar weiter verbessert ...
www.patent-de.com/20060524/DE69926182T2.html
Bi-direktionale Stromerkennung durch Überwachen der VS Spannung in ...Gattertreiber für eine mit einer Brückenschaltung geschaltete Ausgangsschaltung eines Transistors mit einem high-side und einem low-side Schalttransistor, ...
www.patent-de.com/20070503/DE112005001308T5.html
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Note added at 11 hrs (2008-04-25 08:20:05 GMT)
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Zu einem anderen FET (JFET von Siemens):
http://www.wipo.int/pctdb/en/wo.jsp?IA=WO2004070849&DISPLAY=... (zweisprachige Zusammenfassung)
(WO/2004/070849) DEPLETION LAYER FIELD EFFECT TRANSISTORBei angelegter positiver Spannung an der Senke D und negativer Spannung am Gatter G, sowie geerdeter Quelle S, bildet sich um den zylinderförmigen ...
www.wipo.int/pctdb/en/wo.jsp?IA=WO2004070849&DISPLAY=DESC
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Comment: "Habe mich für die Gatteransteuerung entschieden, vielen Dank!"
50 mins
Johannes Gleim
Native in German
Specializes in field
40 years Engineer, 20 years translations
Native in: German
Works in: English to German, German to English, French to German, and 6 more.
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Gate-Treiber
Häufig werden Englische Ausdrücke unverändert in die deutsche Sprache übernommen. So auch hier. Gate Drive findet sich fast überall.
ABB's IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Gate Drive wurde nach Kundenspezifikationen entwickelt.
Der IGBT Gate Drive ist geeignet, grosse IGBTs in Traktionsumrichtern oder Hochleistungsumrichtern für statische Anwendungen bis zu 2500V und 1200A und mehr zu steuern.
http://www.abb.de/product/seitp322/5eb8b4bac00f2c6cc1256f340...
Aber manchmal gibt es doch eine brauchbare Übersetzung:
Avago Technologies kündigte heute die neueste Ergänzung seiner intelligenten Gate-Drive-Optokoppler Familie an.
..
Wichtige Produkte sind Mehrkanal- und bi-direktionale digitale Optokoppler, intelligente Leistungsmodul Gate-Driver Interface Bauteile, digitale 3,3V und 5 V Koppler, digitale 100 kBD bis 50 MBd Logistik-Gate Optokoppler, elektromagnetische 100 MBd Isolatoren, Gate-Treiber und Stromsensor Optokoppler, analoge und hermetisch gekoppelte Hochleistungs Optokoppler.
http://www.electronic-data.com/een/hro/13_119.asp
Gate bedeutet eigentlich "Gitter" oder "Gatter". Ich würde dies aber nicht übersetzen, weil Gitter an Röhren erinnert, während "Gate" die Eingangselektrode eines Feldeffekt-Transistors meint. Gatter sind Logikschaltungen.
In der vorliegenden Arbeit wird die Entwicklung vertikaler Double-Gate-Feldeffekttransistoren vorgestellt, ein Transistortyp, bei dem der p-n-p- (bzw. n-p-n-)Übergang vertikal angeordnet ist und somit der Source-Drain-Strom senkrecht zur Waferoberfläche fließt.
http://darwin.bth.rwth-aachen.de/opus/volltexte/2004/873/
Im Gegensatz zu Bipolartransistoren (stromgesteuert) sind Feldeffekttransistorn spannungsgesteuerte Schaltungselemente. Die Ansteuerung erfolgt über die Gate-Source-Spannung, welche zur Regulation des Kanalquerschnittes bzw. oder der Ladungsträgerdichte dient, d. h. des Halbleiter-Widerstands, um so elektrischen Strom zu schalten oder zu verstärken.
Der FET verfügt über drei Anschlüsse:
Source (engl. für „Zufluss“, „Quelle“)
Gate (engl. für „Tor“, „Gatter“)
Drain (engl. für „Senke“, „Abfluss“)
http://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistor
ABB's IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Gate Drive wurde nach Kundenspezifikationen entwickelt.
Der IGBT Gate Drive ist geeignet, grosse IGBTs in Traktionsumrichtern oder Hochleistungsumrichtern für statische Anwendungen bis zu 2500V und 1200A und mehr zu steuern.
http://www.abb.de/product/seitp322/5eb8b4bac00f2c6cc1256f340...
Aber manchmal gibt es doch eine brauchbare Übersetzung:
Avago Technologies kündigte heute die neueste Ergänzung seiner intelligenten Gate-Drive-Optokoppler Familie an.
..
Wichtige Produkte sind Mehrkanal- und bi-direktionale digitale Optokoppler, intelligente Leistungsmodul Gate-Driver Interface Bauteile, digitale 3,3V und 5 V Koppler, digitale 100 kBD bis 50 MBd Logistik-Gate Optokoppler, elektromagnetische 100 MBd Isolatoren, Gate-Treiber und Stromsensor Optokoppler, analoge und hermetisch gekoppelte Hochleistungs Optokoppler.
http://www.electronic-data.com/een/hro/13_119.asp
Gate bedeutet eigentlich "Gitter" oder "Gatter". Ich würde dies aber nicht übersetzen, weil Gitter an Röhren erinnert, während "Gate" die Eingangselektrode eines Feldeffekt-Transistors meint. Gatter sind Logikschaltungen.
In der vorliegenden Arbeit wird die Entwicklung vertikaler Double-Gate-Feldeffekttransistoren vorgestellt, ein Transistortyp, bei dem der p-n-p- (bzw. n-p-n-)Übergang vertikal angeordnet ist und somit der Source-Drain-Strom senkrecht zur Waferoberfläche fließt.
http://darwin.bth.rwth-aachen.de/opus/volltexte/2004/873/
Im Gegensatz zu Bipolartransistoren (stromgesteuert) sind Feldeffekttransistorn spannungsgesteuerte Schaltungselemente. Die Ansteuerung erfolgt über die Gate-Source-Spannung, welche zur Regulation des Kanalquerschnittes bzw. oder der Ladungsträgerdichte dient, d. h. des Halbleiter-Widerstands, um so elektrischen Strom zu schalten oder zu verstärken.
Der FET verfügt über drei Anschlüsse:
Source (engl. für „Zufluss“, „Quelle“)
Gate (engl. für „Tor“, „Gatter“)
Drain (engl. für „Senke“, „Abfluss“)
http://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistor
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